石墨烯薄膜的湿法转移

石墨烯薄膜的湿法转移

介绍从铜基底石墨烯薄膜到氧化硅基底石墨烯的湿法转移技巧

取旋涂了PMMA的铜基底石墨烯一片，裁剪一片1cm*1cm大小的规则形状

取10ml铜箔刻蚀液于培养皿，将裁剪好的铜基底石墨烯放于铜箔刻蚀液的上表面

刻蚀30分钟后，铜箔刻蚀干净

用PET基片将刻蚀完成后的石墨烯+PMMA层转移至去离子水中多次清洗

清洗完成后，用氧化硅片捞起PMMA+石墨烯层

将转移后的基片放于烘干器烘干，待自然冷却后，放于丙酮里去除PMMA

至此石墨烯完成从铜基底至氧化硅基底的转移过程